氮化硅、氮化硼、氮化铝等先进陶瓷材料是氮与非金属或金属元素以共价键相结合的难熔化合物，本身具有优秀的机械性能、化学性能、电学性能、热学性能等。在新能源汽车、高铁、半导体装备、航空航天、风电、石油化工、冶金等领域有着广泛的用途，产业界对氮化物材料替代传统材料优越性认识越来越深，氮化物粉体与陶瓷市场正在迅猛发展。

在新能源汽车的核心电机驱动中，采用SiC MOSFET器件比传统Si IGBT 带来5%～10%续航提升，未来将会逐步取代Si IGBT。但SiC MOSFET芯片面积小，对散热要求高，氮化硅陶瓷基板具备优异的散热能力和高可靠性，几乎成为SiC MOSFET在新能源汽车领域主驱应用的必选项。目前已经量产的Tesla model 3已经大批量使用氮化硅陶瓷基板，应对SiC MOSFET器件散热。

经专业机构预估，目前全球新能源汽车预计每年消耗2800万片氮化硅陶瓷基板，氮化硅陶瓷基板大规模应用开始释放潜力。未来SiC MOSFET器件在新能源汽车，充电系统，高铁等国计民生相关应用中还有巨大市场容量，又给氮化硅陶瓷基板应用拓展增加了更为广阔的想象空间。另外，全球风力发电氮化硅轴承市场容量约5亿美元，目前，国内才有3亿人民币的市场，随着国内热等静压陶瓷技术的进步和风力发电市场的成长，中国氮化硅陶瓷轴承球将大有作为。

随着电子产品朝着轻质、体积小、集成度高和功率大的方向发展，芯片级封装对高导热、低介电常数的氮化硼粉体需求正在爆发增长。5-10年内，有望在国内增长成为10亿人民币的市场。此外，随着高导热氮化硅、氮化铝陶瓷基板的发展，对高纯氮化硼坩埚的需求也将放量，CVD法氮化硼坩埚也正在半导体晶圆领域大显身手。

氮化铝导热系数接近金属铝，是氧化铝陶瓷的7-10倍。在LED、LD、CPV、IGBT等功率半导体领域，都有较为出色的表现。还有，将氮化铝陶瓷内部配置金属电极，一体化熔结制作成e-chuck或者heater在半导体装备领域中的应用，市场价格在6-8万美元一片，是技术门槛极高，目前被国外垄断，但属于前景非常广阔的应用领域，值得国内企业关注。

组织业内专家、企业家共同探讨氮化物粉体与陶瓷话题，可以发现产业技术难题，集中智慧找到解决方案，同时也利于把握产业发展方向，提升产业发展水平。

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